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BLF4G20LS-110B PDF資料
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  • 制造商:PHILIPS[NXP Semiconductors]
  • PDF文件大?。?09.84 Kbytes
  • PDF文件頁數:共12頁
  • 描述:UHF power LDMOS transistor
BLF4G20LS-110B技術規(guī)格
  • 制造商:NXP
  • 產品種類:射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
  • RoHS:
  • 商標:NXP Semiconductors
  • Id-連續(xù)漏極電流:12 A
  • Vds-漏源極擊穿電壓:65 V
  • Rds On-漏源導通電阻:90 mOhms
  • 晶體管極性:N-Channel
  • 技術:Si
  • Vgs-柵源極擊穿電壓 :15 V
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:LDMOST-3
  • 最小工作溫度:- 65 C
  • 工廠包裝數量:20
  • 類型:RF Power MOSFET
  • 零件號別名:BLF4G20LS-110B,112
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