�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ(x��n)�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
BC848AW
��7�l������̖(h��o)��Ϣ
- NEXPERIA��
- SC70-3��
- 18+��
- 6520��
- ԭ�b��Ʒ��
-


BC848AW PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
- PDF�������272.32 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����8�(y��)
- ������NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)
BC848AW���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Diodes Incorporated
- �a(ch��n)Ʒ�N�(l��i):�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
- ����:Single
- ���w�ܘO��:NPN
- ��늘O�����O늉� VCBO:30 V
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:30 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:5 V
- ��늘O����O�늉�:200 mV
- ���ֱ��늼�늘O���:0.1 A
- ���控���a(ch��n)ƷfT:300 MHz
- ������ض�:+ 150 C
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SOT-323-3
- �̘�(bi��o):Diodes Incorporated
- ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:110 at 2 mA at 5 V
- ��С�����ض�:- 65 C
- Pd-���ʺ�ɢ:200 mW
- ϵ��:BC848A
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ(x��n)�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ(x��n)�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
BC848AW���P(gu��n)��̖(h��o)