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AONR36326C PDF資料
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  • 制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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  • PDF文件頁數(shù)：共6頁
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN
AONR34332C技術(shù)規(guī)格
  • 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
  • 系列AlphaMOS
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）48A（Ta），50A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，10V
  • 不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（最大值）1.8 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）（最大值）105nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±12V
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  • 功率耗散（最大值）6.2W（Ta），83.3W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN-EP（3.3x3.3）
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN
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