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    0755-8366305618922805453,18929374037,189228034010755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516

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    1326124293613261242936王靜北京市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)興茂一街7號(hào)院U谷科創(chuàng)中心A座60211012942

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  • 深圳市坤融電子有限公司

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  • 深圳市億鴻豐電子科技有限公司

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

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  • 深圳市賽美科科技有限公司

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司

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  • 萬(wàn)三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 制造商:Toshiba
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  • PDF文件頁(yè)數(shù):共4頁(yè)
  • 描述:JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
2SK879-Y(TE85L,F)技術(shù)規(guī)格
  • 數(shù)據(jù)列表:2SK879 -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
  • 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭:JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
  • 系列:-
  • 包裝:帶卷(TR)
  • FET 類型:N 溝道
  • 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):-
  • 漏源極電壓(Vdss):-
  • 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V
  • 漏極電流(Id) - 最大值:-
  • 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):400mV @ 100nA
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8.2pF @ 10V
  • 電阻 - RDS(開(kāi)):-
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
  • 供應(yīng)商器件封裝:USM
  • 功率 - 最大值:100mW
  • 其它名稱:2SK879-Y (TE85L,F)2SK879-Y(TE85LF)TR
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