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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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2SK879-Y(TE85L,F) PDF資料
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- 制造商:Toshiba
- PDF文件大小:291.92 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共4頁(yè)
- 描述:JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
2SK879-Y(TE85L,F)技術(shù)規(guī)格
- 數(shù)據(jù)列表:2SK879 -
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)
- 系列:-
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:N 溝道
- 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):-
- 漏源極電壓(Vdss):-
- 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V
- 漏極電流(Id) - 最大值:-
- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):400mV @ 100nA
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8.2pF @ 10V
- 電阻 - RDS(開(kāi)):-
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:SC-70,SOT-323
- 供應(yīng)商器件封裝:USM
- 功率 - 最大值:100mW
- 其它名稱:2SK879-Y (TE85L,F)2SK879-Y(TE85LF)TR
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