�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
2SD1664T100P
- Rohm Semiconductor��
- ԭ�Sԭ����
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-


2SD1664T100P PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�ROHM Semiconductor
- PDF�ļ���С��117.83 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����3�
- �������p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT) NPN 32V 1A
2SD1664T100P���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ROHM Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���w�ܘO��:NPN
- ����:Single
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:32 V
- ��늘O�����O늉� VCBO:40 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:5 V
- ���ֱ��늼�늘O���:1 A
- ���控���a(ch��n)ƷfT:150 MHz
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- ֱ��������� hFE ���ֵ:82 at 100 mA, 3 V
- �߶�:1.5 mm
- �L��:4.5 mm
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- ����:2.5 mm
- �̘�(bi��o):ROHM Semiconductor
- ��늘O�B�m(x��)���:1 A
- ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:82
- Pd-���ʺ�ɢ:2000 mW
- �a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
- ���S���b��(sh��)��:1000
- ��e:Transistors
- �����:130.500 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
2SD1664T100P���P(gu��n)��̖