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  • 制造商：RENESAS[Renesas Technology Corp]
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  • 描述：Silicon NPN Epitaxial
2SD1418DBTR-E技術(shù)規(guī)格
  • 集電極電流（DC ）：1 A
  • 集電極 - 基極電壓：120 V
  • 集電極 - 發(fā)射極電壓：80 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓：5 V
  • 頻率：140 MHz
  • 功率耗散：1 W
  • 安裝：Surface Mount
  • 工作溫度范圍：-55C to 150C
  • 包裝類型：UPAK
  • 封裝：Tape and Reel
  • 引腳數(shù)：3 +Tab
  • 元件數(shù)：1
  • 工作溫度分類：Military
  • 弧度硬化：No
  • 晶體管極性：NPN
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