�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
2SC5585_11 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�SECOS[SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]
- PDF�������204.74 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����2�(y��)
- ������NPN Silicon General Purpose Transistor
2SC5585TL���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ROHM Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SOT-416-3
- ���w�ܘO��:NPN
- ����:Single
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:12 V
- ��늘O�����O늉� VCBO:15 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:6 V
- ���ֱ��늼�늘O���:0.5 A
- ���控���a(ch��n)ƷfT:320 MHz
- ������ض�:+ 150 C
- ϵ��:2SC5585
- ֱ��������� hFE ���ֵ:680
- �߶�:0.7 mm
- �L(zh��ng)��:1.6 mm
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- ����:0.8 mm
- �̘�(bi��o):ROHM Semiconductor
- ��늘O�B�m(x��)���:500 mA
- ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:270
- Pd-���ʺ�ɢ:150 mW
- �a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
- ���S���b��(sh��)��:3000
- ��e:Transistors
- ���̖(h��o)�e��:2SC5585
- �����:6 mg
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
2SC5585(H)���P(gu��n)��̖(h��o)