�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/�����֡�ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
2SA1962RTU
- Fairchild Semiconductor��
- ԭ�Sԭ����
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-


2SA1962RTU PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
- PDF�������206.12 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����6�
- ������PNP Epitaxial Silicon Transistor
2SA1962RTU���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ON Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:�p�O���w�� - �p�O�Y(ji��)�;��w��(BJT)
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:TO-3P-3
- ���w�ܘO��:PNP
- ����:Single
- ��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:230 V
- ��늘O�����O늉� VCBO:230 V
- �l(f��)��O - ���O늉� VEBO:5 V
- ���ֱ��늼�늘O���:17 A
- ���控���a(ch��n)ƷfT:30 MHz
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- ϵ��:2SA1962
- �߶�:19.9 mm
- �L��:15.6 mm
- ���b:Tube
- ����:4.8 mm
- �̘�(bi��o):ON Semiconductor / Fairchild
- ��늘O�B�m(x��)���:15 A
- ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:55 at 1 A, 5 V
- Pd-���ʺ�ɢ:130000 mW
- �a(ch��n)Ʒ���:BJTs - Bipolar Transistors
- ���S���b��(sh��)��:450
- ��e:Transistors
- �����:6.401 g
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
2SA1962-R(T)���P(gu��n)��̖