�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
���^�����d�������
13��
0754-8450778613417106601�f�����V�|ʡ���^�г��(y��ng)�^(q��)���d·���־��x�ϰ�����Ј�(ch��ng)300�������N��------74ϵ�У�324,339,40�^,45�^01010630
-
2N7002A-7
- DIODES��
- SOT-23��
- 14+��
- 3000��
- �r(ji��)��(y��u)��(sh��)���F(xi��n)؛��(k��)����
-


-
��������(gu��)�H�������˾
14��
0755-83555797,83222180,8355572015012997311�0755-83555735����(gu��)����B22��26��0100157
-
2N7002 L6327
- Infineon��
- SOT-23-3��
- 0822+��
- 1388��
- ԭ�b�M(j��n)�ڬF(xi��n)؛����һ�P�f(w��n)��
-


2N7002 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�DIODES[Diodes Incorporated]
- PDF�ļ���С��55.51 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����3�(y��)
- ������N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ON Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SOT-23-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:60 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:120 mA
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:1.2 Ohms
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:200 mW
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:1.2 mm
- �L(zh��ng)��:2.9 mm
- �a(ch��n)Ʒ:MOSFET Small Signal
- ϵ��:2N7002
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:1.3 mm
- �̘�(bi��o):ON Semiconductor / Fairchild
- ����猧(d��o) - ��Сֵ:0.08 S
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- ���S���b��(sh��)��:3000
- ��e:MOSFETs
- ���̖(h��o)�e��:2N7002_NL
- �����:31 mg
ُ(g��u)�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
2N7002���P(gu��n)��̖(h��o)