�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
2N7002T PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�DIODES[Diodes Incorporated]
- PDF�������85.79 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����3�(y��)
- ������N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002T���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:ON Semiconductor
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:SOT-523F-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:60 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:115 mA
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:7.5 Ohms
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:200 mW
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- ���b:Cut Tape
- ���b:MouseReel
- ���b:Reel
- �߶�:0.78 mm
- �L(zh��ng)��:1.6 mm
- �a(ch��n)Ʒ:MOSFET Small Signal
- ϵ��:2N7002T
- ���w�����:1 N-Channel
- ����:0.88 mm
- �̘�(bi��o):ON Semiconductor / Fairchild
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- ���S���b��(sh��)��:3000
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:12.5 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:5.85 ns
- �����:2 mg
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
2N7002T���P(gu��n)��̖(h��o)