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  • 柒號芯城電子商務（深圳）有限公司認證

    13年

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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    10年

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  • 深圳市安富世紀電子有限公司

    8年

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    13年

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  • 深圳市瑞浩芯科技有限公司

    10年

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2N6607 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商：CENTRAL[Central Semiconductor Corp]
  • PDF文件大?。?8.04 Kbytes
  • PDF文件頁數：共1頁
  • 描述：SCRs
2N6609技術規(guī)格
  • 制造商:Central Semiconductor
  • 產品種類:雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
  • RoHS:是
  • 技術:Si
  • 安裝風格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-3-2
  • 晶體管極性:PNP
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:140 V
  • 集電極—基極電壓 VCBO:160 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:7 V
  • 集電極—射極飽和電壓:1.4 V
  • 增益帶寬產品fT:4 MHz
  • 最小工作溫度:- 65 C
  • 最大工作溫度:+ 200 C
  • 系列:2N6609
  • 直流電流增益 hFE 最大值:60
  • 封裝:Bulk
  • 商標:Central Semiconductor
  • 集電極連續(xù)電流:16 A
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min:5
  • Pd-功率耗散:150 W
  • 產品類型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工廠包裝數量:20
  • 子類別:Transistors
  • 零件號別名:2N6609 PBFREE
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