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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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2N6284G PDF資料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小:129.52 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共7頁
- 描述:Darlington ComplementarySilicon Power Transistors
2N6284G技術規(guī)格
- 制造商:ON Semiconductor
- 產品種類:達林頓晶體管
- RoHS:是
- 配置:Single
- 晶體管極性:NPN
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:100 V
- 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:5 V
- 集電極—基極電壓 VCBO:100 V
- 最大直流電集電極電流:20 A
- 最大集電極截止電流:500 uA
- Pd-功率耗散:160 W
- 安裝風格:Through Hole
- 封裝 / 箱體:TO-204-2 (TO-3)
- 最小工作溫度:- 65 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 系列:2N6284
- 封裝:Tray
- 高度:8.51 mm
- 長度:39.37 mm
- 寬度:26.67 mm
- 商標:ON Semiconductor
- 集電極連續(xù)電流:20 A
- 直流集電極/Base Gain hfe Min:100, 750
- 產品類型:Darlington Transistors
- 工廠包裝數(shù)量:100
- 子類別:Transistors
- 單位重量:12 g
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