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其它集成電路

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ST/意法 STW43NM60ND 晶體管 封裝TO-247 歡迎詢(xún)價(jià)

  • STW43NM60ND02025-05-20 05:38
  • ST/意法
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深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司

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  • 在線(xiàn)聯(lián)系:
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  • 手  機(jī):13378422395,19129491930
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STW43NM60ND數(shù)據(jù)手冊(cè)
STW43NM60ND參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi)
MOSFET
RoHS
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-247-3
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
600 V
Id-連續(xù)漏極電流
35 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
88 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓
25 V
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
FDmesh
封裝
Tube
高度
20.15 mm
長(zhǎng)度
15.75 mm
系列
STW43NM60ND
晶體管類(lèi)型
1 N-Channel
寬度
5.15 mm
商標(biāo)
STMicroelectronics
下降時(shí)間
50 ns
產(chǎn)品類(lèi)型
MOSFET
上升時(shí)間
40 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量
600
子類(lèi)別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間
120 ns
典型接通延遲時(shí)間
30 ns
單位重量
38 g
商品詳情
制造商: STMicroelectronics 
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET 
RoHS:  詳細(xì)信息 
技術(shù): Si 
安裝風(fēng)格: Through Hole 
封裝 / 箱體: TO-247-3 
晶體管極性: N-Channel 
通道數(shù)量: 1 Channel 
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V 
Id-連續(xù)漏極電流: 35 A 
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 88 mOhms 
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V 
最小工作溫度: - 55 C 
最大工作溫度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 255 W 
通道模式: Enhancement 
商標(biāo)名: FDmesh 
系列: STW43NM60ND 
封裝: Tube 
商標(biāo): STMicroelectronics 
配置: Single 
下降時(shí)間: 50 ns 
高度: 20.15 mm 
長(zhǎng)度: 15.75 mm 
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET 
上升時(shí)間: 40 ns 
600 
子類(lèi)別: MOSFETs 
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel 
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 120 ns 
典型接通延遲時(shí)間: 30 ns 
寬度: 5.15 mm 
單位重量: 6 g

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