深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司
參數(shù) | 參數(shù)值 |
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制造商
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STMicroelectronics
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產(chǎn)品種類(lèi)
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MOSFET
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RoHS
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是
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技術(shù)
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Si
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安裝風(fēng)格
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Through Hole
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封裝 / 箱體
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TO-247-3
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通道數(shù)量
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1 Channel
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晶體管極性
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N-Channel
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Vds-漏源極擊穿電壓
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600 V
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Id-連續(xù)漏極電流
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35 A
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Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
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88 mOhms
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Vgs - 柵極-源極電壓
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25 V
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最小工作溫度
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- 55 C
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最大工作溫度
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+ 150 C
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Pd-功率耗散
|
255 W
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配置
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Single
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通道模式
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Enhancement
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商標(biāo)名
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FDmesh
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封裝
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Tube
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高度
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20.15 mm
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長(zhǎng)度
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15.75 mm
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系列
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STW43NM60ND
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晶體管類(lèi)型
|
1 N-Channel
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寬度
|
5.15 mm
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商標(biāo)
|
STMicroelectronics
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下降時(shí)間
|
50 ns
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產(chǎn)品類(lèi)型
|
MOSFET
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上升時(shí)間
|
40 ns
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工廠(chǎng)包裝數(shù)量
|
600
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子類(lèi)別
|
MOSFETs
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典型關(guān)閉延遲時(shí)間
|
120 ns
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典型接通延遲時(shí)間
|
30 ns
|
單位重量
|
38 g
|
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