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CSD18532NQ5B TI/德州儀器 一級代理分銷

  • CSD18532NQ5B請詢價2025-05-28 05:06
  • TI/德州儀器
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供應(yīng)商信息

深圳市浩睿澤電子科技有限公司

  • 會員資質(zhì)：

    16

    年
  • 營業(yè)執(zhí)照：已審核
  • 經(jīng)營品牌：ADI Infineon NXP ON ST Ti
  • 聯(lián)　系人：羅先生
  • 在線聯(lián)系：
  • 聯(lián)系電話：19854773352
  • 電子郵件：[email protected]
  • 手　　機：19854773352
  • 地　　址：深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)彩田路3069號星河世紀(jì)A棟2003F19
CSD18532NQ5B數(shù)據(jù)手冊
CSD18532NQ5B參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
制造商
Texas Instruments
產(chǎn)品種類
MOSFET
RoHS
是
技術(shù)
Si
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
VSON-CLIP-8
通道數(shù)量
1 Channel
晶體管極性
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓
60 V
Id-連續(xù)漏極電流
151 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻
3.4 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓
2.4 V
Vgs - 柵極-源極電壓
10 V
Qg-柵極電荷
49 nC
最小工作溫度
- 55 C
最大工作溫度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商標(biāo)名
NexFET
封裝
Cut Tape
封裝
MouseReel
封裝
Reel
高度
1 mm
長度
6 mm
系列
CSD18532NQ5B
晶體管類型
1 N-Channel
寬度
5 mm
商標(biāo)
Texas Instruments
正向跨導(dǎo) - 最小值
140 S
下降時間
2.7 ns
產(chǎn)品類型
MOSFET
上升時間
8.7 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
子類別
MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間
20 ns
典型接通延遲時間
8.2 ns
單位重量
134 mg
商品詳情

質(zhì)量信息

評分Catalog
RoHS豁免
REACH受影響
引腳鍍層/焊球材料SN
MSL 等級/回流焊峰值溫度Level-1-260C-UNLIM

封裝信息

封裝 | 引腳
工作溫度范圍 (°C)-55 to 150
包裝數(shù)量 | 包裝

CSD18532NQ5B 的特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低熱阻
  • 雪崩級
  • 無鉛引腳鍍層
  • 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封裝

CSD18532NQ5B 的說明

這款采用 5mm × 6mm SON 封裝的 60V、2.7mΩ NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率轉(zhuǎn)換 應(yīng)用。


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