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ZXMS6004DGTA
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-223-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:1.3 A

Rds On-漏源導通電阻:350 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:5 V

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 125 C

Pd-功率耗散:3 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:IntelliFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:ZXMS6004

晶體管類型:1 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

下降時間:15 us

產品類型:MOSFET

上升時間:10 us

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:45 us

典型接通延遲時間:5 us

單位重量:112 mg

介紹圖ZXMS6004DGTA
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ZXMS6004DGTAMOSFET INTELLIFET MOSFET 60V N CHANDiodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC網667.57 Kbytes共8頁ZXMS6004DGTA的PDF文件地址 ZXMS6004DGTA的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
ZXMS6004DGTAIC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO-天天IC網711.14 Kbytes共8頁ZXMS6004DGTA的PDF文件地址 ZXMS6004DGTA的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
ZXMS6004DGTA連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：1.3A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：- 漏源導通電阻：600mΩ @ 500mA,3V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 類型：N溝道DIODES(美臺)DIODES(美臺)的LOGO-天天IC網479.85 Kbytes共10頁ZXMS6004DGTA的PDF文件地址 ZXMS6004DGTA的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
ZXMS6004DGTAPower Switch Lo Side 0.7A 4Pin SOT223Diodes IncDiodes Inc的LOGO-天天IC網711.14 Kbytes共8頁ZXMS6004DGTA的PDF文件地址 ZXMS6004DGTA的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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