包裝：8SOIC
渠道類型：N|P
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：60 V
最大連續(xù)漏極電流：4.7@N Channel|3.5@P Channel A
RDS -于：55@10V@N Channel|85@10V@P Channel mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：3.5 ns
典型上升時(shí)間：4.1 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：26.2@N Channel|35@P Channel ns
典型下降時(shí)間：10.6@N Channel|10@P Channel ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
RoHS：RoHS Compliant
封裝：Reel
單位包：2500
最小起訂量：2500
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.6A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
其他名稱：ZXMC4559DN8TCDI
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：55 mOhm @ 4.5A, 10V
FET型：N and P-Channel Complementary
功率 - 最大：1.8W
漏極至源極電壓（Vdss）：60V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：1063pF @ 30V
閘電荷（Qg ） @ VGS：20.4nC @ 10V
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
晶體管極性：:N and P Channel
Continuous Drain Current Id：:4.7A
Drain Source Voltage Vds：:60V
On Resistance Rds(on)：:0.055ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs：:10V
功耗：:1.25W
Operating Temperature Min：:-55°C
Operating Temperature Max：:150°C
Transistor Case Style：:SOIC
No. of Pins：:8
MSL：:MSL 1 - Unlimited
SVHC：:No SVHC (20-Jun-2013)
Continuous Drain Current Id, N Channel：:4.7A
Continuous Drain Current Id, P Channel：:-3.9A
Drain Source Voltage Vds, N Channel：:60V
Drain Source Voltage Vds, P Channel：:-60V
Module Configuration：:Dual
On Resistance Rds(on), N Channel：:0.055ohm
On Resistance Rds(on), P Channel：:0.105ohm
工作溫度范圍：:-55°C to +150°C
Weight (kg)：0.000074
Tariff No.：85412900
associated：D00343RE932-01120-5.ICK SMD A 5 SA3209885-MIR2117SPBF