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WNM2016-3/TR
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）20V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）2.9A

柵源極閾值電壓1V @ 250uA

漏源導通電阻47mΩ @ 3.6A,4.5V

最大功率耗散（Ta=25°C）700mW

類型N溝道

介紹圖WNM2016-3/TR
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WNM2016-3/TRN-Channel, 20V, 3.2A, Power MOSFET WILLSEMI[Will Semiconductor Ltd.]WILLSEMI[Will Semiconductor Ltd.]的LOGO-天天IC網851.75 Kbytes共7頁WNM2016-3/TR的PDF文件地址 WNM2016-3/TR的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
WNM2016-3/TRN-Channel 20 V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網1051.6 Kbytes共9頁WNM2016-3/TR的PDF文件地址 WNM2016-3/TR的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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