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VNP10N06-E
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:150 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Pd-功率耗散:42 W

資格:AEC-Q101

封裝:Tube

系列:VNP10N06

類型:Power MOSFET

商標(biāo):STMicroelectronics

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

單位重量:330 mg

介紹圖VNP10N06-E
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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