商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)30V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí))60A
柵源極閾值電壓3V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻23mΩ @ 30A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)45W
類型N溝道
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UT60N03L-TN3-R | 30V, 60A N-CHANNEL LOGIC LEVEL MOSFET | UTC[Unisonic Technologies] | 221.14 Kbytes | 共5頁(yè) | ![]() | ![]() |
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UT60N03L-TN3-R | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE | UTC[Unisonic Technologies] | 247.31 Kbytes | 共6頁(yè) | ![]() | ![]() |
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