FET 類型2 個 N 溝道(雙)
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓(Vdss)60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)5A
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)56 毫歐 @ 2.5A,10V
不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)13.4nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)640pF @ 10V
功率 - 最大值1.12W
工作溫度150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼8-PowerWDFN
供應商器件封裝8-SOP
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs
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UPA3753GR-E1-AT | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | RENESAS[Renesas Technology Corp] | 142.88 Kbytes | 共8頁 | ![]() | ![]() |
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