制造商產(chǎn)品頁：TPS1120DG4 Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：75
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：-
包裝：管件
FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：15V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：1.17A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 1.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：5.45nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：-
功率 - 最大值：840mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC