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TP65H050WSQA
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包裝管件

系列汽車級(jí),AEC-Q101

零件狀態(tài)有源

FET 類型N 通道

技術(shù)GaNFET(共源共柵氮化鎵 FET)

漏源電壓(Vdss)650V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))36A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)60 毫歐 @ 25A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)4.8V @ 700μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)24nC @ 10V

Vgs(最大值)±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)1000pF @ 400V

FET 功能-

功率耗散(最大值)150W(Tc)

工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型通孔

供應(yīng)商器件封裝TO-247-3

封裝/外殼TO-247-3

介紹圖TP65H050WSQA
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