FET 類型2 個(gè) N 通道和 2 個(gè) P 通道（H 橋）
FET 功能標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）5.5A，4.1A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）33 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）10nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）960pF @ 25V
功率 - 最大值1.38W
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝8-SO
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs