數(shù)據(jù)列表：TK4P55D -
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：-
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：550V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：4A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.88 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4.4V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：11nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：490pF @ 25V
功率 - 最大值：80W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
其它名稱：TK4P55DT6RSSQ