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STL33N60M2
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PowerFLAT-8x8-HV-5

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:21.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:135 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:4.7 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:MDmesh

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:STL33N60M2

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):STMicroelectronics

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

介紹圖STL33N60M2
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STL33N60M2Extremely low gate charge STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網(wǎng)873.82 Kbytes共15頁STL33N60M2的PDF文件地址 STL33N60M2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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