包裝標準卷帶
系列MDmesh? DM2
零件狀態(tài)有源
FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）20A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）206mOhm @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）35.5nC @ 10V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）1480pF @ 100V
FET 功能-
功率耗散（最大值）140W（Tc）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝PowerFlat?（8x8） HV
封裝/外殼8-PowerVDFN