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STL18N65M2
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PowerFLAT-5x6-HV-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:8 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:290 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:21.5 nC

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:57 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:MDmesh

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:STL18N65M2

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時間:12.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:7.5 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:46 ns

典型接通延遲時間:11 ns

介紹圖STL18N65M2
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STL18N65M2MOSFET N-channel 650 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV packageSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO-天天IC網(wǎng)684.10 Kbytes共14頁STL18N65M2的PDF文件地址 STL18N65M2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
STL18N65M2MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLATSTMicroelectronicsSTMicroelectronics的LOGO-天天IC網(wǎng)1.40 Mbytes共15頁STL18N65M2的PDF文件地址 STL18N65M2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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