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SSM3J332R
規(guī)格信息：

商品類型MOS(場效應管)

漏源電壓（Vdss）30V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）5.6A(Tc)

柵源極閾值電壓2V @ 250uA

漏源導通電阻46mΩ @ 4.4A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W(Tc)

類型P溝道

介紹圖SSM3J332R
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SSM3J332RPower Management Switch Applications TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)216.21 Kbytes共6頁SSM3J332R的PDF文件地址 SSM3J332R的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
SSM3J332R,LFMOSFET SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSSToshibaToshiba的LOGO-天天IC網(wǎng)341.44 Kbytes共6頁SSM3J332R,LF的PDF文件地址 SSM3J332R,LF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
SSM3J332R,LFMOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1AToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO-天天IC網(wǎng)345.17 Kbytes共6頁SSM3J332R,LF的PDF文件地址 SSM3J332R,LF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
SSM3J332R,LFMOSFET P-CH 30V 6A SOT23FToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO-天天IC網(wǎng)345.17 Kbytes共6頁SSM3J332R,LF的PDF文件地址 SSM3J332R,LF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
SSM3J332R,LF連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6A 漏源電壓（Vdss）：-30V 柵源極閾值電壓：1.2V @ 1mA 漏源導通電阻：42mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 類型：P溝道TOSHIBA(東芝)TOSHIBA(東芝)的LOGO-天天IC網(wǎng)412.24 Kbytes共6頁SSM3J332R,LF的PDF文件地址 SSM3J332R,LF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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