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SPB02N60S5
規(guī)格信息：

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝/外殼：TO-263-3

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600V

Id-連續(xù)漏極電流：1.8A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：3Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：25W

通道模式：Enhancement

高度：4.4mm

長(zhǎng)度：10mm

系列：CoolMOSS5

晶體管類型：1N-Channel

寬度：9.25mm

下降時(shí)間：20ns

上升時(shí)間：35ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35ns

典型接通延遲時(shí)間：35ns

RDS (on) max：3000.0m?

IDpuls max：3.2A

VDS max：600.0V

ID max：1.8A

Package：D2PAK (TO-263)

Rth：5.0K/W

QG：7.3nC

Ptot max：25.0W

Polarity：N

VGS(th) min max：3.5V 5.5V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

SPB02N60S5

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
SPB02N60S5	Cool MOSa?￠ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	INFINEON[Infineon Technologies AG]	349.26 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購(gòu)買
SPB02N60S5	Cool MOSa?￠ Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	306.41 Kbytes	共10頁	SPN03N60C3,SPP07N60S5,SPP20N60CFD,SPN03N60S5,SPP07N65C3,SPP20N60S5,SPN04N60C2,SPP08N50C3,SPP20N65C3,SPW17N80C3	產(chǎn)品購(gòu)買
SPB02N60S5	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	188.85 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購(gòu)買
SPB02N60S5_07	Cool MOSa?￠ Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology	INFINEON[Infineon Technologies AG]	349.26 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購(gòu)買
SPB02N60S5ATMA1	MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263	Infineon Technologies	343.66 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購(gòu)買
SPB02N60S5ATMA1	MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3	Infineon Technologies	343.66 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購(gòu)買