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RT1A045APTCR
規(guī)格信息:

制造商:ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TSST-8

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:12 V

Id-連續(xù)漏極電流:4.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

Qg-柵極電荷:40 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.25 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:RT1A045AP

晶體管類型:1 P-Channel

商標(biāo):ROHM Semiconductor

正向跨導(dǎo) - 最小值:5.5 S

下降時間:150 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:60 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:400 ns

典型接通延遲時間:16 ns

零件號別名:RT1A045AP

介紹圖RT1A045APTCR
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
RT1A045APTCRMOSFET 1.5V Drive Pch Si MOSFETROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO-天天IC網(wǎng)360.26 Kbytes共12頁RT1A045APTCR的PDF文件地址 RT1A045APTCR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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