制造商:ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TSST-8
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:12 V
Id-連續(xù)漏極電流:4.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:40 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.25 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:RT1A045AP
晶體管類型:1 P-Channel
商標(biāo):ROHM Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:5.5 S
下降時間:150 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:60 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:400 ns
典型接通延遲時間:16 ns
零件號別名:RT1A045AP
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RT1A045APTCR | MOSFET 1.5V Drive Pch Si MOSFET | ROHM Semiconductor | 360.26 Kbytes | 共12頁 | ![]() | ![]() |
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