������:ON Semiconductor
�a(ch��n)Ʒ�N�:�_���D���w��
RoHS:��
����:Single
���w�ܘO��:PNP
��늘O���l(f��)��O���늉� VCEO:100 V
�l(f��)��O - ���O늉� VEBO:5 V
��늘O�����O늉� VCBO:100 V
���ֱ��늼�늘O���:2 A
���늘O��ֹ���:20 uA
Pd-���ʺ�ɢ:20 W
���b�L��:SMD/SMT
���b / ���w:TO-252-3 (DPAK)
��С�����ض�:- 65 C
������ض�:+ 150 C
ϵ��:MJD117
���b:Tube
�߶�:2.38 mm
�L��:6.73 mm
����:6.22 mm
�̘�:ON Semiconductor
��늘O�B�m(x��)���:2 A
ֱ����늘O/Base Gain hfe Min:200, 500, 1000
�a(ch��n)Ʒ���:Darlington Transistors
���S���b��(sh��)��:75
��e:Transistors
�����:611 mg