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制造商:ROHM Semiconductor

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TSMT-8

通道數量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:11 A

Rds On-漏源導通電阻:6.8 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:12 V

Qg-柵極電荷:22 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Reel

晶體管類型:1 N-Channel

商標:ROHM Semiconductor

正向跨導 - 最小值:13 S

下降時間:79 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:18 ns

工廠包裝數量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:87 ns

典型接通延遲時間:22 ns

零件號別名:RQ7E110AJ