制造商:ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:210 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:55 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:100 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):ROHM Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值:6.5 S
下降時(shí)間:65 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:85 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:155 ns
典型接通延遲時(shí)間:37 ns
零件號(hào)別名:R6018ANJ
單位重量:2.200 g