通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：153 A
最大漏源電壓：100 V
最大漏源電阻值：4.5 m0hms
最大柵閾值電壓：4V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：TO-220
安裝類型：通孔
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強
最大功率耗散：223 W
寬度：4.83mm
每片芯片元件數(shù)目：1
正向二極管電壓：1.2V
尺寸：10.67 x 4.83 x 16.51mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：100 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：6750 pF @ 40 V
典型關(guān)斷延遲時間：93 ns
典型接通延遲時間：30.4 ns
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+150 °C
長度：10.67mm
高度：16.51mm
正向跨導：120S
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs