商品類型MOS(場效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)650V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)4A(Tc)
柵源極閾值電壓4V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻2.6Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)122W(Tc)
類型N溝道
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JCS4N65VC-IPAK | 連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時):4A(Tc) 漏源電壓(Vdss):650V 柵源極閾值電壓:4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:2.6Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):122W(Tc) 類型:N溝道 | 吉林華微 | ![]() | 1.59 Mbytes | 共18頁 | ![]() | ![]() |
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