封裝/外殼：SO8
FET 類(lèi)型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：12A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：11.9 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：52nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1680pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類(lèi)型：P 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：12A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：52nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1680pF @ 25V
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11.9 毫歐 @ 12A，10V
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：12A
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：52nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1680pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs