制造商:Infineon
產品種類:IGBT 模塊
RoHS:否
產品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
集電極—射極飽和電壓:3.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A
柵極—射極漏泄電流:400 nA
Pd-功率耗散:780 W
封裝 / 箱體:62 mm
最小工作溫度:- 40 C
最大工作溫度:+ 125 C
封裝:Tray
高度:30.5 mm
長度:106.4 mm
寬度:61.4 mm
商標:Infineon Technologies
安裝風格:Chassis Mount
柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
產品類型:IGBT Modules
工廠包裝數(shù)量:10
子類別:IGBTs
零件號別名:FF100R12KS4HOSA1 SP000100705
單位重量:340 g