FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：150mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4V
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：1.58nC @ 10V
Vgs（最大值）：±10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：7pF @ 10V
功率耗散（最大值）：150mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.7 歐姆 @ 80mA，4V
工作溫度：150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應商器件封裝：4-ECSP1008
封裝/外殼：4-uFDFN
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs