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EAPLP04RRAA2
規(guī)格信息：

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30V

電流 - 集電極（Ic）（最大值）：20mA

電流 - 暗（Id）（最大值）：100nA

波長：940nm

功率 - 最大值：75mW

安裝類型：通孔

朝向：側(cè)視圖

工作溫度：-25°C ~ 85°C（TA）

封裝/外殼：徑向，3 引線，側(cè)視圖

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖EAPLP04RRAA2
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
EAPLP04RRAA2Side Face Silicon Phototransistor EVERLIGHT[Everlight Electronics Co., Ltd]EVERLIGHT[Everlight Electronics Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)458.26 Kbytes共7頁EAPLP04RRAA2的PDF文件地址 EAPLP04RRAA2的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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