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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:WSON-8

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:30 V

Id-連續(xù)漏極電流:17 A

Rds On-漏源導通電阻:5.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:600 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:28 nC, 28 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.7 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:CSD87313DMS

晶體管類型:2 N-Channel

商標:Texas Instruments

正向跨導 - 最小值:149 S, 149 S

下降時間:13 ns, 13 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:27 ns, 27 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:41 ns, 41 ns

典型接通延遲時間:9 ns, 9 ns