產(chǎn)品培訓模塊：NexFET MOSFET Technology
視頻文件：NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
標準包裝：3,000
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：NexFET??
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.2A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：82 毫歐 @ 500mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：325pF @ 6V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：4-UFBGA，DSBGA
供應商器件封裝：4-DSBGA（1x1）
其它名稱：296-24258-2