中文字幕av无码免费一区_每天上班都是被顶一路的故事_老牛嫩草一区二区三区的区别_1000部做爰免费视频_自制入体小玩具怎么做_人妻av无码一区二区三区_女性变态蕾丝连体开档内衣_精品三级av无码一区_天美传媒春节回家相亲孟孟

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DSBGA-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:12 V

Id-連續(xù)漏極電流:3.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:10.2 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:700 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:8.6 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.9 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.62 mm

長(zhǎng)度:1.5 mm

系列:CSD13306W

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

寬度:1 mm

商標(biāo):Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值:15 S

下降時(shí)間:8 ns

濕度敏感性:Yes

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:11 ns

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:250

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns

典型接通延遲時(shí)間:7 ns

單位重量:1.700 mg