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CS8N60FA9H
規(guī)格信息：

商品類(lèi)型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）600V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）8A(Tc)

柵源極閾值電壓4V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻1.2Ω @ 4A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）45W(Tc)

類(lèi)型N溝道

介紹圖CS8N60FA9H
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CS8N60FA9H連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：8A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：1.2Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 類(lèi)型：N溝道華潤(rùn)華晶華潤(rùn)華晶的LOGO-天天IC網(wǎng)232.72 Kbytes共10頁(yè)CS8N60FA9H的PDF文件地址 CS8N60FA9H的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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