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CS4N65FA9HD
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商品類型MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)

漏源電壓（Vdss）650V

連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）4A(Tc)

柵源極閾值電壓4V @ 250uA

漏源導(dǎo)通電阻2.5Ω @ 2A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）30W(Tc)

類型N溝道

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CS4N65FA9HD連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：650V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 類型：N溝道華潤(rùn)華晶華潤(rùn)華晶的LOGO-天天IC網(wǎng)234.51 Kbytes共10頁CS4N65FA9HD的PDF文件地址 CS4N65FA9HD的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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