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制造商:Central Semiconductor

產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-39-3

晶體管極性:PNP

配置:Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:80 V

集電極—基極電壓 VCBO:80 V

發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V

最大直流電集電極電流:5 A

增益帶寬產(chǎn)品fT:30 MHz

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 200 C

系列:2N6190

直流電流增益 hFE 最大值:120 at 2 A, 2 V

封裝:Bulk

商標(biāo):Central Semiconductor

直流集電極/Base Gain hfe Min:30 at 2 A, 2 V

Pd-功率耗散:10 W

產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:Transistors

零件號別名:2N6190 PBFREE